半导体器件基础（五）：MOSFET
MOSFET 可以理解为：在 MOS 电容形成的反型层两端加入 Source 和 Drain，用 Gate 控制沟道，用 Drain-Source 电压驱动电流。
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把学过的东西讲清楚，也把好奇心留给下一次发现。
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7 NOTES半导体器件基础·番外：Einstein Relation 从哪里来？
热平衡下的Einstein relation是如何建立起来的，这是一个很深刻的问题。
半导体器件基础（三）：PN 结
学习主线：掺杂差异 → 载流子扩散 → 空间电荷 → 内建电场 → 漂移与扩散平衡 → 能带弯曲 → 正反向偏置 → 器件电流。 本文承接前两课“能带、载流子、掺杂与费米能级”和“漂移与扩散”。面向半导体工艺工程师的基础学习与笔试复习，重点建立物理图像，再推导公式，最后连接离子注入、退火、漏电与击穿等制造问题。
半导体器件基础（二）：载流子的漂移与扩散
本节核心：电场导致漂移（Drift），浓度梯度导致扩散（Diffusion）。这两种输运机制共同构成 PN 结、MOSFET 等半导体器件的物理基础。
半导体器件基础（一）：能带、载流子、掺杂与费米能级
面向半导体工艺工程师岗位的器件基础学习笔记。核心知识链： 能带 → 载流子 → 掺杂 → 费米能级 → 载流子浓度 → 电导率 → 制造工艺
半导体工艺工程师知识梳理
目标：建立"器件需求 → 制造工艺 → 物理/化学机制 → 关键参数 → 工艺结果 → 异常诊断"的完整知识链，而不是零散记忆缩写。