半导体器件基础（三）：PN 结
学习主线：掺杂差异 → 载流子扩散 → 空间电荷 → 内建电场 → 漂移与扩散平衡 → 能带弯曲 → 正反向偏置 → 器件电流。 本文承接前两课“能带、载流子、掺杂与费米能级”和“漂移与扩散”。面向半导体工艺工程师的基础学习与笔试复习，重点建立物理图像，再推导公式，最后连接离子注入、退火、漏电与击穿等制造问题。
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半导体器件基础（二）：载流子的漂移与扩散
本节核心：电场导致漂移（Drift），浓度梯度导致扩散（Diffusion）。这两种输运机制共同构成 PN 结、MOSFET 等半导体器件的物理基础。